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SUPSiC GC3M0075120K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3M0075120K |
| Código da Peça EBEE | E87435055 |
| Pacote | TO247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.4331 | $ 5.4331 |
| 10+ | $4.6742 | $ 46.7420 |
| 30+ | $3.8534 | $ 115.6020 |
| 90+ | $3.3977 | $ 305.7930 |
| 600+ | $3.1865 | $ 1911.9000 |
| 900+ | $3.0913 | $ 2782.1700 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3M0075120K | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 75mΩ@15V | |
| Temperatura de funcionamento - | -40℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
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| 1+ | $5.4331 | $ 5.4331 |
| 10+ | $4.6742 | $ 46.7420 |
| 30+ | $3.8534 | $ 115.6020 |
| 90+ | $3.3977 | $ 305.7930 |
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