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SUPSiC GC3M0065090D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3M0065090D |
| Código da Peça EBEE | E87435034 |
| Pacote | TO247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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194 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5290 | $ 5.5290 |
| 10+ | $4.7990 | $ 47.9900 |
| 30+ | $4.1654 | $ 124.9620 |
| 90+ | $3.7924 | $ 341.3160 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3M0065090D | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 65mΩ@15V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 760pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 66pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
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194 Stock for Shipping Fast
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5290 | $ 5.5290 |
| 10+ | $4.7990 | $ 47.9900 |
| 30+ | $4.1654 | $ 124.9620 |
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