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SUPSiC GC3M0015065K
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC3M0015065K |
| Código da Peça EBEE | E87435028 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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195 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0110 | $ 12.0110 |
| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
| 90+ | $8.1900 | $ 737.1000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC3M0015065K | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 15mΩ@15V | |
| Temperatura de funcionamento - | -40℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.011nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
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195 Stock for Shipping Fast
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $12.0110 | $ 12.0110 |
| 10+ | $10.3984 | $ 103.9840 |
| 30+ | $9.0130 | $ 270.3900 |
| 90+ | $8.1900 | $ 737.1000 |
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