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SUPSiC GC2M1000170D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC2M1000170D |
| Código da Peça EBEE | E87435057 |
| Pacote | TO247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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142 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1490 | $ 2.1490 |
| 10+ | $1.8389 | $ 18.3890 |
| 30+ | $1.4907 | $ 44.7210 |
| 90+ | $1.2913 | $ 116.2170 |
| 600+ | $1.2027 | $ 721.6200 |
| 900+ | $1.1632 | $ 1046.8800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC2M1000170D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 800mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 215pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
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| 1+ | $2.1490 | $ 2.1490 |
| 10+ | $1.8389 | $ 18.3890 |
| 30+ | $1.4907 | $ 44.7210 |
| 90+ | $1.2913 | $ 116.2170 |
| 600+ | $1.2027 | $ 721.6200 |
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