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SUPSiC GC2M0280120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC2M0280120D |
| Código da Peça EBEE | E87435049 |
| Pacote | TO247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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84 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9196 | $ 3.9196 |
| 10+ | $3.7425 | $ 37.4250 |
| 30+ | $3.6331 | $ 108.9930 |
| 90+ | $3.5423 | $ 318.8070 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC2M0280120D | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 320mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69.4W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 267pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 31pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $3.9196 | $ 3.9196 |
| 10+ | $3.7425 | $ 37.4250 |
| 30+ | $3.6331 | $ 108.9930 |
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