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SUPSiC GC2M0080120D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC2M0080120D |
| Código da Peça EBEE | E87435046 |
| Pacote | TO247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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411 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7790 | $ 4.7790 |
| 10+ | $4.1963 | $ 41.9630 |
| 30+ | $3.3501 | $ 100.5030 |
| 90+ | $2.9992 | $ 269.9280 |
| 600+ | $2.8373 | $ 1702.3800 |
| 900+ | $2.7642 | $ 2487.7800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC2M0080120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 80mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
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411 Stock for Shipping Fast
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|---|---|---|
| 1+ | $4.7790 | $ 4.7790 |
| 10+ | $4.1963 | $ 41.9630 |
| 30+ | $3.3501 | $ 100.5030 |
| 90+ | $2.9992 | $ 269.9280 |
| 600+ | $2.8373 | $ 1702.3800 |
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