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SUPSiC GC2M0045170D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | GC2M0045170D |
| Código da Peça EBEE | E87435058 |
| Pacote | TO247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>111 Em Estoque para Envio Rápido
111 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
| 30+ | $18.9710 | $ 569.1300 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | SUPSiC GC2M0045170D | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 45mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamento - | -40℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.672nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 176pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $21.4516 | $ 21.4516 |
| 3+ | $19.9633 | $ 59.8899 |
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