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STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA90N65G2V-4 |
| Código da Peça EBEE | E83281049 |
| Pacote | HiP247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $35.8544 | $ 35.8544 |
| 3+ | $32.4481 | $ 97.3443 |
| 30+ | $30.8790 | $ 926.3700 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 24mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 49pF | |
| Pd - Power Dissipation | 565W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 119A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 294pF | |
| Gate Charge(Qg) | 157nC |
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