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STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA70N120G2V-4 |
| Código da Peça EBEE | E85268808 |
| Pacote | HiP-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.2782 | $ 23.2782 |
| 30+ | $22.4835 | $ 674.5050 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS |
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| 30+ | $22.4835 | $ 674.5050 |
