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STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA60N120G2-4 |
| Código da Peça EBEE | E83281096 |
| Pacote | TO-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 388W | |
| Corrente de drenagem contínua | 60A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $33.8274 | $ 33.8274 |
| 3+ | $30.5220 | $ 91.5660 |
| 30+ | $29.2499 | $ 877.4970 |
