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STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA40N120G2V-4 |
| Código da Peça EBEE | E85268807 |
| Pacote | HiP-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.1942 | $ 16.1942 |
| 10+ | $15.4330 | $ 154.3300 |
| 30+ | $14.1145 | $ 423.4350 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 100mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.45V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.233nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC |
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