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STMicroelectronics SCTWA35N65G2V
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA35N65G2V |
| Código da Peça EBEE | E83281008 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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6 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.2855 | $ 15.2855 |
| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
| 30+ | $13.4207 | $ 402.6210 |
| 100+ | $12.3890 | $ 1238.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTWA35N65G2V | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 67mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
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| 1+ | $15.2855 | $ 15.2855 |
| 10+ | $14.6019 | $ 146.0190 |
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