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STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA35N65G2V-4 |
| Código da Peça EBEE | E85268820 |
| Pacote | HiP-247-4 |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | HiP-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.1305 | $ 8.1305 |
| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
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| 10+ | $7.0428 | $ 70.4280 |
| 30+ | $6.3787 | $ 191.3610 |
| 100+ | $5.8233 | $ 582.3300 |
