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STMicroelectronics SCTWA30N120
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTWA30N120 |
| Código da Peça EBEE | E8472656 |
| Pacote | HiP-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $22.2494 | $ 22.2494 |
| 30+ | $21.2189 | $ 636.5670 |
| 90+ | $20.9610 | $ 1886.4900 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTWA30N120 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 100mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 25pF | |
| Pd - Power Dissipation | 270W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
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