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STMicroelectronics SCTW60N120G2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTW60N120G2 |
| Código da Peça EBEE | E85268796 |
| Pacote | HiP-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $26.3568 | $ 26.3568 |
| 30+ | $25.1367 | $ 754.1010 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTW60N120G2 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 52mΩ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 20pF | |
| Pd - Power Dissipation | 389W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.969nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 94nC |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $26.3568 | $ 26.3568 |
| 30+ | $25.1367 | $ 754.1010 |
