Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTW40N120G2VAG |
| Código da Peça EBEE | E8472655 |
| Pacote | HiP-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | HiP-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>1 Em Estoque para Envio Rápido
1 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8160 | $ 23.8160 |
| 10+ | $23.0969 | $ 230.9690 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 105mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 290W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 56pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guia de Compras
Expandir
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8160 | $ 23.8160 |
| 10+ | $23.0969 | $ 230.9690 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
