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STMicroelectronics SCTW40N120G2V


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
SCTW40N120G2V
Código da Peça EBEE
E83281060
Pacote
TO-247-3
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Nome do Contato
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Nome da Empresa
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Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$22.4251$ 22.4251
30+$21.4758$ 644.2740
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET)
Folha de DadosSTMicroelectronics SCTW40N120G2V
RoHS
Dissipação de energia278W
Corrente de drenagem contínua36A
Tipo de canal1 N-Channel
Tensão da fonte de drenagem1200V

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