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STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTW35N65G2VAG |
| Código da Peça EBEE | E83281062 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $21.7765 | $ 21.7765 |
| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
| 30+ | $19.2147 | $ 576.4410 |
| 100+ | $17.7961 | $ 1779.6100 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTW35N65G2VAG | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 67mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 240W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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| 1+ | $21.7765 | $ 21.7765 |
| 10+ | $20.8392 | $ 208.3920 |
| 30+ | $19.2147 | $ 576.4410 |
| 100+ | $17.7961 | $ 1779.6100 |
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