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STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCTH35N65G2V-7 |
| Código da Peça EBEE | E82970626 |
| Pacote | H2PAK-7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | H2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 67mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 208W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.37nF | |
| Gate Charge(Qg) | 73nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6529 | $ 11.6529 |
| 10+ | $11.1327 | $ 111.3270 |
| 30+ | $10.2315 | $ 306.9450 |
| 100+ | $9.4466 | $ 944.6600 |
