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STMicroelectronics SCT50N120
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCT50N120 |
| Código da Peça EBEE | E82970314 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $41.5620 | $ 41.5620 |
| 30+ | $39.6364 | $ 1189.0920 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCT50N120 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 69mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+200℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 30pF | |
| Pd - Power Dissipation | 318W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 122nC |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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|---|---|---|
| 1+ | $41.5620 | $ 41.5620 |
| 30+ | $39.6364 | $ 1189.0920 |
