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STMicroelectronics SCT1000N170
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCT1000N170 |
| Código da Peça EBEE | E82970166 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4295 | $ 9.4295 |
| 10+ | $8.2913 | $ 82.9130 |
| 30+ | $7.5978 | $ 227.9340 |
| 100+ | $7.0168 | $ 701.6800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | STMicroelectronics SCT1000N170 | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 96W | |
| Corrente de drenagem contínua | 7A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1700V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.4295 | $ 9.4295 |
| 10+ | $8.2913 | $ 82.9130 |
| 30+ | $7.5978 | $ 227.9340 |
| 100+ | $7.0168 | $ 701.6800 |
