Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SL19N120A |
| Código da Peça EBEE | E82760944 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>3 Em Estoque para Envio Rápido
3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6063 | $ 5.6063 |
| 10+ | $4.8746 | $ 48.7460 |
| 30+ | $4.0177 | $ 120.5310 |
| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Slkor(SLKORMICRO Elec.) SL19N120A | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 160mΩ@20V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 134W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 895pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
Guia de Compras
Expandir
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.6063 | $ 5.6063 |
| 10+ | $4.8746 | $ 48.7460 |
| 30+ | $4.0177 | $ 120.5310 |
| 90+ | $3.6435 | $ 327.9150 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
