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Siliup SP50N120CTK
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SP50N120CTK |
| Código da Peça EBEE | E822466829 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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| 10+ | $2.8886 | $ 28.8860 |
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| 90+ | $2.2677 | $ 204.0930 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Siliup SP50N120CTK | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 35mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 74A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.975nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 119pF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC |
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