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Siliup SP35N120CTF
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SP35N120CTF |
| Código da Peça EBEE | E822466830 |
| Pacote | TO-247-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.5272 | $ 6.5272 |
| 10+ | $5.6248 | $ 56.2480 |
| 30+ | $4.9585 | $ 148.7550 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Siliup SP35N120CTF | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 60mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.56nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 121pF | |
| Gate Charge(Qg) | 124nC |
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