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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SP25N120CTK |
| Código da Peça EBEE | E822466831 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Siliup SP25N120CTK | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 60mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.92nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0866 | $ 2.0866 |
| 10+ | $1.7623 | $ 17.6230 |
| 30+ | $1.5919 | $ 47.7570 |
| 90+ | $1.3850 | $ 124.6500 |
| 510+ | $1.2906 | $ 658.2060 |
| 990+ | $1.2495 | $ 1237.0050 |
