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Siliup SP25N120CTF
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SP25N120CTF |
| Código da Peça EBEE | E822466832 |
| Pacote | TO-247 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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117 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0153 | $ 2.0153 |
| 10+ | $1.7046 | $ 17.0460 |
| 30+ | $1.5299 | $ 45.8970 |
| 90+ | $1.3313 | $ 119.8170 |
| 510+ | $1.2416 | $ 633.2160 |
| 990+ | $1.2015 | $ 1189.4850 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Siliup SP25N120CTF | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 60mΩ@18V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 171W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.92nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
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| 1+ | $2.0153 | $ 2.0153 |
| 10+ | $1.7046 | $ 17.0460 |
| 30+ | $1.5299 | $ 45.8970 |
| 90+ | $1.3313 | $ 119.8170 |
| 510+ | $1.2416 | $ 633.2160 |
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