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Sichainsemi SG2M040120L
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SG2M040120L |
| Código da Peça EBEE | E837636037 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
| 510+ | $3.3707 | $ 1719.0570 |
| 990+ | $3.2723 | $ 3239.5770 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi SG2M040120L | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 52mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 268W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 62A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.171nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 109pF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC |
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| 1+ | $5.3061 | $ 5.3061 |
| 10+ | $4.5234 | $ 45.2340 |
| 30+ | $4.0582 | $ 121.7460 |
| 90+ | $3.5882 | $ 322.9380 |
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