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Sichainsemi SG1M160120J
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SG1M160120J |
| Código da Peça EBEE | E822363612 |
| Pacote | TO-263-7L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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| 10+ | $1.9920 | $ 19.9200 |
| 50+ | $1.7991 | $ 89.9550 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi SG1M160120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@15V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 1.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 120W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 21A | |
| Ciss-Input Capacitance | 617pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25.4nC |
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