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Sichainsemi S1P14R120HSE-A
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S1P14R120HSE-A |
| Código da Peça EBEE | E837636089 |
| Pacote | SOT-227 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | SOT-227 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi S1P14R120HSE-A | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 22pF | |
| Pd - Power Dissipation | 349W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.521nF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
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