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Sichainsemi S1M075120H2
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S1M075120H2 |
| Código da Peça EBEE | E822363608 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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4 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9290 | $ 2.9290 |
| 10+ | $2.5200 | $ 25.2000 |
| 30+ | $2.2774 | $ 68.3220 |
| 90+ | $2.0323 | $ 182.9070 |
| 510+ | $1.9193 | $ 978.8430 |
| 990+ | $1.8672 | $ 1848.5280 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi S1M075120H2 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 60mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 224W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 44A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.037nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
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