20% off
Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Sichainsemi S1M040120H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S1M040120H |
| Código da Peça EBEE | E822363605 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>1467 Em Estoque para Envio Rápido
1467 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0002 | $ 3.0002 |
| 10+ | $2.5911 | $ 25.9110 |
| 30+ | $2.3155 | $ 69.4650 |
| 90+ | $2.0704 | $ 186.3360 |
| 510+ | $1.9574 | $ 998.2740 |
| 990+ | $1.9053 | $ 1886.2470 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi S1M040120H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 32mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 10pF | |
| Pd - Power Dissipation | 357W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 76A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.159nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 127pF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
Guia de Compras
Expandir
1467 Stock for Shipping Fast
1467 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0002 | $ 3.0002 |
| 10+ | $2.5911 | $ 25.9110 |
| 30+ | $2.3155 | $ 69.4650 |
| 90+ | $2.0704 | $ 186.3360 |
| 510+ | $1.9574 | $ 998.2740 |
| 990+ | $1.9053 | $ 1886.2470 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
