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Sichainsemi S1M032120H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S1M032120H |
| Código da Peça EBEE | E822363604 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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1 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0072 | $ 5.0072 |
| 10+ | $4.3487 | $ 43.4870 |
| 30+ | $3.9463 | $ 118.3890 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi S1M032120H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 27mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 375W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 87A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.7nF | |
| Gate Charge(Qg) | 96nC |
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