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Sichainsemi S1M014120H
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | S1M014120H |
| Código da Peça EBEE | E822363603 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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283 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.3643 | $ 9.3643 |
| 10+ | $8.1282 | $ 81.2820 |
| 30+ | $7.3745 | $ 221.2350 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Sichainsemi S1M014120H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 14mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 625W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 152A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.469nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 230nC |
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