| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SCT2160KEC |
| Código da Peça EBEE | E8559680 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.5703 | $ 15.5703 |
| 200+ | $6.0261 | $ 1205.2200 |
| 500+ | $5.8150 | $ 2907.5000 |
| 1000+ | $5.7102 | $ 5710.2000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | ROHM Semicon SCT2160KEC | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 165W | |
| Corrente de drenagem contínua | 22A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.5703 | $ 15.5703 |
| 200+ | $6.0261 | $ 1205.2200 |
| 500+ | $5.8150 | $ 2907.5000 |
| 1000+ | $5.7102 | $ 5710.2000 |
