| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | UJ3C120080K3S |
| Código da Peça EBEE | E86731596 |
| Pacote | TO-247-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Qorvo UJ3C120080K3S | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 254.2W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
