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Qorvo UF4C120053K4S


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
UF4C120053K4S
Código da Peça EBEE
E86006292
Pacote
-
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Nome do Contato
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País
Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$29.7422$ 29.7422
210+$11.8685$ 2492.3850
510+$11.4706$ 5850.0060
990+$11.2752$ 11162.4480
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET)
Folha de DadosQorvo UF4C120053K4S
RoHS
Dissipação de energia263W
Corrente de drenagem contínua34A
Tipo de canal1 N-Channel
Tensão da fonte de drenagem1200V

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