| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | UF4C120053K4S |
| Código da Peça EBEE | E86006292 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.7422 | $ 29.7422 |
| 210+ | $11.8685 | $ 2492.3850 |
| 510+ | $11.4706 | $ 5850.0060 |
| 990+ | $11.2752 | $ 11162.4480 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Qorvo UF4C120053K4S | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 263W | |
| Corrente de drenagem contínua | 34A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $29.7422 | $ 29.7422 |
| 210+ | $11.8685 | $ 2492.3850 |
| 510+ | $11.4706 | $ 5850.0060 |
| 990+ | $11.2752 | $ 11162.4480 |
