| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | UF3C120150K4S |
| Código da Peça EBEE | E87136718 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Qorvo UF3C120150K4S | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 166.7W | |
| Corrente de drenagem contínua | 18.4A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
