| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | UF3C065030K4S |
| Código da Peça EBEE | E86581986 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.9893 | $ 39.9893 |
| 210+ | $15.9557 | $ 3350.6970 |
| 510+ | $15.4224 | $ 7865.4240 |
| 990+ | $15.1592 | $ 15007.6080 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Qorvo UF3C065030K4S | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 441W | |
| Corrente de drenagem contínua | 85A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 650V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.9893 | $ 39.9893 |
| 210+ | $15.9557 | $ 3350.6970 |
| 510+ | $15.4224 | $ 7865.4240 |
| 990+ | $15.1592 | $ 15007.6080 |
