| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | PAA12400BM3 |
| Código da Peça EBEE | E817638836 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Corrente de drenagem contínua | 350A | |
| Configuração | Half Bridge | |
| Tipo de canal | 2 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
