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PN Junction Semiconductor P3M173K0T3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M173K0T3 |
| Código da Peça EBEE | E85823481 |
| Pacote | TO-220-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-220-2L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+175℃ | |
| Dissipação de energia | 75W | |
| Carga total do portão | 3.79nC | |
| Corrente de drenagem contínua | 4A | |
| Capacitância de Transferência Reversa | 4.3pF | |
| Entência de entrada | 116pF | |
| Capacitância de saída | 12pF | |
| Configuração | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Resistência ao drena-source no Estado (15V) | 2500mΩ | |
| Resistência de drenagem no Estado (18V) | - | |
| Resistência de drenagem-solço no Estado (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | Single Tube | |
| Resistência no Estado(10V) da Drenagem-Source | - | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1700V | |
| Tensão de limiar de fonte de drenagem | 2.2V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
