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PN Junction Semiconductor P3M06300D8
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M06300D8 |
| Código da Peça EBEE | E85840346 |
| Pacote | DFN8080-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | DFN8080-8 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1880 | $ 13.1880 |
| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M06300D8 | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 32W | |
| Corrente de drenagem contínua | 9A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 650V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1880 | $ 13.1880 |
| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
