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PN Junction Semiconductor P3M06300D5
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | P3M06300D5 |
| Código da Peça EBEE | E85823477 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | PN Junction Semiconductor P3M06300D5 | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 26W | |
| Corrente de drenagem contínua | 9A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 650V |
Guia de Compras
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
