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onsemi NVH4L040N120M3S
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NVH4L040N120M3S |
| Código da Peça EBEE | E819673852 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>211 Em Estoque para Envio Rápido
211 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.9618 | $ 13.9618 |
| 10+ | $13.7514 | $ 137.5140 |
| 30+ | $13.3882 | $ 401.6460 |
| 90+ | $13.0718 | $ 1176.4620 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | onsemi NVH4L040N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 54mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 54A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
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| 1+ | $13.9618 | $ 13.9618 |
| 10+ | $13.7514 | $ 137.5140 |
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