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onsemi NTH4L070N120M3S
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NTH4L070N120M3S |
| Código da Peça EBEE | E819673850 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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435 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9475 | $ 5.9475 |
| 10+ | $5.3077 | $ 53.0770 |
| 30+ | $4.9282 | $ 147.8460 |
| 90+ | $4.5424 | $ 408.8160 |
| 450+ | $4.3662 | $ 1964.7900 |
| 900+ | $4.2852 | $ 3856.6800 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | onsemi NTH4L070N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 65mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 34A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC |
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| 30+ | $4.9282 | $ 147.8460 |
| 90+ | $4.5424 | $ 408.8160 |
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