34% off
Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
onsemi NTH4L060N090SC1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NTH4L060N090SC1 |
| Código da Peça EBEE | E82902169 |
| Pacote | TO-247-4L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>10 Em Estoque para Envio Rápido
10 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | onsemi NTH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 84mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.77nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 113pF | |
| Gate Charge(Qg) | 87nC |
Guia de Compras
Expandir
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.4134 | $ 8.4134 |
| 10+ | $8.0378 | $ 80.3780 |
| 30+ | $7.3876 | $ 221.6280 |
| 90+ | $6.8195 | $ 613.7550 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
