Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
onsemi NTBG060N065SC1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NTBG060N065SC1 |
| Código da Peça EBEE | E85209021 |
| Pacote | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>18 Em Estoque para Envio Rápido
18 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | onsemi NTBG060N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 70mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.473nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 133pF | |
| Gate Charge(Qg) | 74nC |
Guia de Compras
Expandir
18 Stock for Shipping Fast
18 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
Melhor preço para maior quantidade?
$
