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onsemi NTBG022N120M3S
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NTBG022N120M3S |
| Código da Peça EBEE | E85209031 |
| Pacote | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | ECL99 |
| Descrição | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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5 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.8157 | $ 14.8157 |
| 10+ | $12.6568 | $ 126.5680 |
| 30+ | $10.9999 | $ 329.9970 |
| 100+ | $9.5531 | $ 955.3100 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Folha de Dados | onsemi NTBG022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 234W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 148nC |
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