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Microchip Tech MSCSM120VR1M31C1AG
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MSCSM120VR1M31C1AG |
| Código da Peça EBEE | E817531972 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $491.7916 | $ 491.7916 |
| 200+ | $196.2290 | $ 39245.8000 |
| 500+ | $189.6708 | $ 94835.4000 |
| 1000+ | $186.4309 | $ 186430.9000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Microchip Tech MSCSM120VR1M31C1AG | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 395W | |
| Corrente de drenagem contínua | 89A | |
| Tipo de canal | 2 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $491.7916 | $ 491.7916 |
| 200+ | $196.2290 | $ 39245.8000 |
| 500+ | $189.6708 | $ 94835.4000 |
| 1000+ | $186.4309 | $ 186430.9000 |
