| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MSCSM120VR1M11CT6AG |
| Código da Peça EBEE | E817630977 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,733.6665 | $ 1733.6665 |
| 200+ | $691.7447 | $ 138348.9400 |
| 500+ | $668.6300 | $ 334315.0000 |
| 1000+ | $657.2068 | $ 657206.8000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Microchip Tech MSCSM120VR1M11CT6AG | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 1.042kW | |
| Corrente de drenagem contínua | 251A | |
| Tipo de canal | 2 N-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,733.6665 | $ 1733.6665 |
| 200+ | $691.7447 | $ 138348.9400 |
| 500+ | $668.6300 | $ 334315.0000 |
| 1000+ | $657.2068 | $ 657206.8000 |
