| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | MSCSM120DDUM31TBL2NG |
| Código da Peça EBEE | E817439276 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $750.3882 | $ 750.3882 |
| 200+ | $299.4106 | $ 59882.1200 |
| 500+ | $289.4052 | $ 144702.6000 |
| 1000+ | $284.4617 | $ 284461.7000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Transistor de efeito de campo de carboneto de silício (MOSFET) | |
| Folha de Dados | Microchip Tech MSCSM120DDUM31TBL2NG | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 310W | |
| Corrente de drenagem contínua | 79A | |
| Configuração | Common Source | |
| Tipo de canal | 4 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem | 1200V |
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $750.3882 | $ 750.3882 |
| 200+ | $299.4106 | $ 59882.1200 |
| 500+ | $289.4052 | $ 144702.6000 |
| 1000+ | $284.4617 | $ 284461.7000 |
